close
تبلیغات در اینترنت
ترجمه مقاله بررسی رفتار دینا میکی دنبال کننده های ماکزیمم
.:: تاک مقاله ::. پرپوزال ، دانلود مقاله و پروژه و پایان نامه

مطالب پر بازدید

پشتیبانی 24 سایت

[66190920 - 021]

تلگرام سایت

[989394308078]

تبلیغات

آمار سایت

  • افراد آنلاین : 2
  • بازديد امروز : 81
  • بازديد ديروز : 673
  • آي پي امروز : 9
  • آي پي ديروز : 34
  • ورودی امروز گوگل : 0
  • ورودی گوگل دیروز : 0
  • بازديد هفته : 922
  • بازدید ماه : 10,696
  • بازدید سال : 94,691
  • كل بازديدها : 630,534
  • ای پی شما : 3.82.24.132
  • مرورگر شما :
  • سیستم عامل :
  • كل کاربران : 312
  • كل مطالب : 3631
  • كل نظرات : 0
  • امروز : چهارشنبه 28 آذر 1397

اطلاعات کاربری

عضو شويد
فراموشی رمز عبور؟

نام کاربری :
رمز عبور :


عضویت سریع
نام کاربری :
رمز عبور :
تکرار رمز :
ایمیل :
نام اصلی :
کد امنیتی : * کد امنیتیبارگزاری مجدد

آرشیو

مطالب تصادفی

تبلیغات اختصاصی ( با بخش تماس با ماهماهنگ کنید(

آخرین عناوین

ترجمه مقاله بررسی رفتار دینا میکی دنبال کننده های ماکزیمم

قیمت:850000ریال

 

موضوع :

پروژه درس دینامیک سیستم های قدرت

ترجمه مقاله  بررسی رفتار دینا میکی دنبال کننده های ماکزیمم توان تحت تغییرات دما و  تابش نور خورشید

  فرمت فایل:  WORD (قابل ویرایش)

Dynamic behaviour of PV generator trackers under irradiation
and temperature changes

مدل ایده آل ومدل واقعی یک پنل خورشیدی در شکل زیر نشان داده شده است که در آن  Ipvبیانگر میزان شدت جریانی است که درشدت نور دریافتی و دمای پنل امکان تولید آن وجود دارد و RsوRp بیانگر میزان جریان نشتی دیود وتلفات اهمی می باشند و دیود بیانگر ماکزیمم جریان ممکن در حالت اتصال کوتاه وماکزیمم ولتاژ ممکن در حالت مدار باز می باشد.

این مدار معادل دارای مولفه های اصلی زیر است :

1)I photon  : مؤلفه ی جریان فوتون که نمایش جریان الکتریکی تولید شده ی داخلی که نتیجه ی الکترون های آزاد در سلول است. این میزان نسبت مستقیمی با مقدار نوری که روی سلول نیمه هادی می تابد دارد. این جریان متغییرکلیدی در تعیین میزان جریان اتصال کوتاه جریان سلول خورشیدی می باشد.

) دیود: این دیود برای مشخصه مواد نیمه هادی است. و زمان روشن و خاموش شدن آن به سادگی قابل مشاهده نمی باشد. ثابت ولتاژ نرمال این دیود انعکاس تأثیرها بر روی مشخصه های سلول است. مقدار آن تأثیر مستقیمی بر روی ولتاژ سلول های مدار باز دارد.

3) shunt- R: این مقاومت برای تلفات جریان نشتی با مواد نیمه هادی محاسبه شده است. این جریان عموماً ناچیز و مقدار مقاومت آن خیلی زیاد می باشد که در این مقاله از آن صرف نظر شده است .

پروژه کارشناسی ارشد برق

فایل محتوای:

  1.  اصل مقاله لاتین 12 صفحه  Elsevier
  2.  متن ورد ترجمه شده بصورت کامل تخصصی 27 صفحه
  3.  فایل شبیه سازی شده با مطلب

 



جهت دانلود محصول اینجا کلیک نمایید